Отображение 1–24 из 725

Show sidebar
Закрыть

1022GDA 21яч.черн

200
Закрыть

10A10 M,C 29яч.черн

100
10A10, Диод 10А 1000В [P-600]
Закрыть
Закрыть

13003 11яч.черн

50
ST13003, Транзистор NPN 400В 1.5А 40Вт (=MJE13003), [TO-126 / SOT-32]
Закрыть

13N50CF 19яч.черн

250
13N50CF Datasheet PDF – 500V, 15A, N-Ch, MOSFET
Закрыть

15N60 18яч.черн

150
SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
Закрыть

16N50 17яч.черн

400
SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]
Закрыть

17P10 11яч.черн

150
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Закрыть
Закрыть

1N5408 29яч.черн

20
1N5408, Диод выпрямительный 3А 1000В [DO-201AD]
Закрыть

20N60C3 43 яч.на столе

250
20N60C3 (SPP20N60C3) N-КАНАЛЬНЫЙ 650V 20.7A TO-220 ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
Закрыть

23N50E 43яч.на столе

350
FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]
Закрыть

24C01BN 6яч.оранж

150
микросхема памяти ЭСППЗУ (EEPROM) 128x8BIT I2C-BUS корпус: SOIC8/SOP8 является аналогом: X24C01, X2401P, SDA2516-5-SIE, 85C72-MBR
Закрыть

24C02N 6яч.оранж

150
Микросхема AT 24C02n используется в качестве энергонезависимой памяти в устройствах, требующих запоминания небольших объёмов информации. Напряжение питания 2,7-5,5 В. Температура
Закрыть

25032FVSIG 10яч.черн

250
W25Q32FVSSIG (25Q32FVSIG), Флэш-память, SPI, 32МБит [SO-8]
Закрыть

2N4403 G33 12яч.черн

50
2N4403, Транзистор, PNP, 40В, 600мА [TO-92]
Закрыть

2N5401 10яч.черн

50
2N5401YBU, Транзистор PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92] (2N5401)
Закрыть

2N5551 10яч.черн

50
2N5551, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
Закрыть

2PCS01 18яч.черн

250
ICE2PCS01GXUMA1, Конроллер CCM [DSO-8]